长江存储128层3闪存研发成功中国芯实现跨越式发展

渊星婚恋网 感情资讯 2020-05-06 18:55:31 0 存储  长江  芯片  

    4月13日,紫光集团旗下长江存储宣布128层QLC3DNAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

这是全球首款128层QLC规格的3DNAND闪存芯片,也是我国首款128层3DNAND闪存芯片。

长江存储预计,128层产品今年底到明年上半年量产,维持明年单月10万片产能目标不变。  “存储芯片是整个ICT行业的底盘之一,手机、电脑、服务器等设备都要用它,云计算、5G等技术也是基于存储芯片技术的发展。目前中国在这方面与海外差距较大。”一位电子行业卖方首席研究员表示,“长江存储的128层产品市场销路会不错。

”  长江存储填补了我国在3DNAND闪存芯片领域的空白,它是目前中国唯一能够在该领域实现量产的厂商。尽管起步晚于国际大厂,但长江存储发展迅速,技术水平已跻身全球第一梯队。

  存储器是半导体产业的重要分支。

中信证券电子组表示,存储芯片产业2019年全球销售额约1200亿美元,约占全球4000亿美元半导体市场的30%。

其中,DRAM约620亿美元,NANDFlash约570亿美元。

韩美3家DRAM厂商占全球95%的份额,其中韩国厂商三星、SK海力士占75%。

韩美日6家NANDFlash厂商占全球99%的份额,其中韩国三星、SK海力士以及日本铠侠(原东芝)3家的份额超过60%。

  多个指标业界第一  长江存储有关人士介绍,X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

  QLC是继TLC后3DNAND新的技术形态,具有大容量、高密度等特点,适合于读取密集型应用。

每颗X2-6070QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈,共有超过3665亿个有效的电荷俘获型存储单元,每个存储单元可存储4字位数据,共提供的存储容量。

如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”,一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3665亿个房间,每个房间住4“人”,共可容纳约14660亿“人”居住,是64层单颗芯片容量的倍。

  闪存和SSD领域知名市场研究公司ForwardInsights创始人兼首席分析师GregoryWong认为,QLC降低了NAND闪存单位字节的成本,更适合作为大容量存储介质。

在企业级领域,QLCSSD更适用于AI计算、机器学习、实时分析和大数据中的读取密集型应用。

在消费类领域,QLC将率先在大容量U盘、闪存卡和SSD中普及。

  与国际大厂同台竞技  2017年7月,长江存储研制成功中国第一颗3DNAND闪存芯片。

2018年三季度,32层实现量产。

2019年三季度,64层实现量产。

为缩小与第一梯队厂商的差距,长江存储跳过96层,攻坚128层。

  SK海力士、三星、美光等国际大厂去年陆续发布128层3DNAND产品,计划今年实现规模量产。

如今,长江存储成功自研128层闪存芯片。

在不久的将来,国产128层系列闪存产品将走向市场,与国际大厂同台竞技。

  “3DNAND的难点在于一层层叠上去的时候需要打洞把每一层连接起来,层数越多需要打的洞就越多,每一个单位都要打洞,数量可达几百万个。

必须保证做到垂直地打洞,不能歪、不能斜,保持均匀。

同时,一层一层叠上去的时候会产生压力,芯片的旁边会翘起来。

所以,把洞打好和把翘起来的地方压下去、变平,这是最困难的地方。

”长江存储执行董事长高启全此前接受中国证券报记者专访时介绍了3DNAND制造工艺的难点。

  国内市场需求旺  长期以来,我国使用的存储芯片严重依赖进口。

以2018年为例,根据智研咨询统计,我国集成电路进口额达3120亿美元。

其中,存储芯片为1230亿美元,占集成电路进口总额的39%。

  目前,长江存储、长鑫存储、福建晋华等3家国内厂商正奋力追赶。

随着量产的推进,我国依赖进口的局面有望得到缓解。

长鑫存储和福建晋华主攻DRAM,前者去年9月宣布内存芯片自主制造项目投产。

  当下,长江存储产能为2万片/月,公司表示将尽早达成64层三维闪存产品月产能10万片,并按期(二期)建成30万片/月产能,提升国家存储器基地的规模效应。

长江存储当前产能利用率达100%,已全员复工。

  “长江存储128层系列产品具有广阔的市场应用前景。

其中,128层QLC版本将率先应用于消费级SSD,并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域,以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。

”长江存储市场与销售高级副总裁龚翊说。

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